半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2020.02.02)

判斷題
光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
答案：錯(cuò)誤
填空題
半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)中，元件之間隔離有（）（）（）隔離等三種基本方法.
答案：Pn結(jié)介質(zhì)；Pn結(jié)隔離；Pn結(jié)介質(zhì)混合
單項(xiàng)選擇題
下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時(shí)常使用的是：（）
A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)
單項(xiàng)選擇題
Ⅰ號(hào)液是（）過氧化氫清洗液.
A.堿性
B.酸性
C.中性
填空題
白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。
答案：干涉色
問答題
集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？
答案：
①金屬-絕緣體-金屬（MIM）結(jié)構(gòu)；
②多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅結(jié)構(gòu)；
③金屬叉指結(jié)構(gòu)；
④PN結(jié)電容；
⑤MOS電容。
問答題
解釋正性光刻和負(fù)性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
答案：正性光刻把與掩膜版上相同的圖形復(fù)制到硅片上，負(fù)性光刻把與掩膜版上圖形相反的圖形復(fù)制到硅片表面，這兩種基本工藝的主要區(qū)別在...
問答題
下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過程，寫出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡述其中1～5各步的含義。
答案：（1）反應(yīng)氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運(yùn)；
（2）這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子；
（3）這些反應(yīng)物輸...
問答題
例出并描述4種真空范圍。
答案：四種真空范圍：
（1）低級(jí)真空：氣流主要是由分子間碰撞產(chǎn)生的（也稱滯留），壓強(qiáng)高得足以機(jī)械型壓力測(cè)量儀測(cè)量。
問答題
什么是多層金屬化？它對(duì)芯片加工來說為什么是必需的？
答案：