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半導體芯片制造工章節(jié)練習(2020.02.02)

填空題
延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機化學氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
答案：化學氣相；液相；分子束
問答題
例舉淀積的5種主要技術(shù)。
答案：
多項選擇題
下列材料屬于N型半導體是（）。
A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P）、砷（As）
B.硅中摻有元素雜質(zhì)硼B(yǎng).、鋁（Al）
C.砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅（Si）、碲（TE）
D.砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂
問答題
例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。
答案：
連續(xù)噴霧顯影、旋覆浸沒顯影。
顯影溫度，顯影時間，顯影液量，硅片洗盤，當量濃度，清洗，排風。
問答題
什么是無源元件？例舉出兩個無源元件的例子。什么是有源元件？例舉出兩個有源元件的例子。
答案：無源元件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。這些元件無論如何和電源相連，都可以傳輸電流。如電阻，電容...
判斷題
光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）
答案：正確
單項選擇題
單相3線插座接線有嚴格規(guī)定（）
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
單項選擇題
半導體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。
A.熱阻
B.阻抗
C.結(jié)構(gòu)參數(shù)
問答題
在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
答案：
一、將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中
二、在后續(xù)工藝中，保護下面的材料
問答題
集成電路制造中有哪幾種常見的擴散工藝？各有什么優(yōu)缺點？
答案：擴散工藝分類：按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴散，液態(tài)源擴散和氣態(tài)源擴散。固態(tài)源擴散（1）.開管擴散...