半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.05.10)

單項(xiàng)選擇題
介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來(lái)實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。
A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
單項(xiàng)選擇題
光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝（）
A.刻制圖形
B.繪制圖形
C.制作圖形
單項(xiàng)選擇題
下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時(shí)常使用的是：（）
A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)
單項(xiàng)選擇題
在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）
A、干氧
B、濕氧
C、水汽氧化
D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)
單項(xiàng)選擇題
從離子源引出的是：（）
A、原子束
B、分子束
C、中子束
D、離子束