多項(xiàng)選擇題IC采用鋁互連系統(tǒng)時(shí),下列哪種方法可以避免Al-Si的尖楔現(xiàn)象()
A.在淀積的鋁膜中摻入約1%Si
B.在淀積的鋁膜中摻入約1%Cu
C.在鋁膜表面覆蓋Si3N4
D.在淀積鋁之前先淀積一薄層TiN薄膜
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2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于光學(xué)光刻,下列哪種方法可以獲得高分辨率()
A.光源為紫光
B.使用移相掩膜技術(shù)制備的光刻版
C.采取浸入式光刻方法
D.駐波效應(yīng)對(duì)分辨率無(wú)影響
3.多項(xiàng)選擇題濺射與蒸鍍比較,下列那種說(shuō)法正確()
A.蒸鍍工藝的普適性更好
B.濺射工藝的普適性更好
C.濺射工藝薄膜質(zhì)量(如粘附性、保形性等)更好
D.蒸鍍工藝薄膜質(zhì)量(如粘附性、保形性等)更好
4.多項(xiàng)選擇題從兩電極面積判斷射頻濺射時(shí),靶放在那個(gè)電極上、襯底放在那個(gè)電極上()
A.襯底放在面積大的電極上
B.靶放在面積大的電極上
C.襯底放在面積小的電極上
D.靶放在面積小的電極上
5.單項(xiàng)選擇題為了避免尖楔現(xiàn)象用含1%硅的硅鋁合金制備IC內(nèi)電極,多采用下列哪種工藝方法()
A.射頻濺射
B.LPCVD
C.電阻蒸鍍
D.PECVD
最新試題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查,是否有出現(xiàn)廢品?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型:判斷題
影響封裝芯片特性的溫度有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題