填空題成核過程可以分為均勻和()。
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MoSi2宜在低于1000℃下長時(shí)間使用。
題型:判斷題
CVD 技術(shù)中通過沉積反應(yīng)易于生成所需要的材料沉積物,而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。
題型:判斷題
Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。
題型:判斷題
紅外輻射溫度計(jì)測量范圍是600至1600℃,基本誤差≤±10℃。
題型:判斷題
高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。
題型:判斷題
化學(xué)合成反應(yīng)沉積是由兩種或兩種以上的反應(yīng)原料氣在沉積反應(yīng)器中相互作用合成得到所需要的無機(jī)薄膜或其它材料形式的方法。
題型:判斷題
雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中,由于流體充分湍動,吸收質(zhì)濃度是不均勻的。
題型:判斷題
簡述真空蒸鍍的原理。
題型:問答題
低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個(gè)典型的反自發(fā)方向進(jìn)行的反應(yīng),它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應(yīng)的推動來實(shí)現(xiàn)。
題型:判斷題
CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強(qiáng)控制部件等部分組成。
題型:判斷題