單項(xiàng)選擇題在純電感交流電路中，電壓保持不變，提高電源頻率，電路中的電流將會(huì)（）。
A、明顯增大
B、略有增大
C、不變
D、減小
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1.單項(xiàng)選擇題正弦交流電路中，一般電壓表的指示值是（）。
A、最大值
B、瞬時(shí)值
C、平均值
D、有效值
2.單項(xiàng)選擇題電容量的單位符號(hào)是（）。
A、C
B、F
C、S
D、T
3.單項(xiàng)選擇題純電感電路中的電流與電壓的相位關(guān)系是（）。
A.電壓超前π/2
B.電壓滯后π/2
C.同相
D.反相
最新試題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題