1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數。

MOS管的轉移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。

半導體具有的負的溫度系數的發(fā)現年份是（）年。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。