單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的雜質(zhì)分布包括()和有限表面源分布。
A.無(wú)限表面源分布
B.雜質(zhì)總量分布
C.恒定表面源分布
D.表面源分布
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1.單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散系數(shù)的定義,其受以下哪個(gè)因素的影響最大?()
A.雜質(zhì)類型
B.擴(kuò)散時(shí)間
C.雜質(zhì)激活能
D.溫度
2.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的微觀機(jī)制包括間隙式擴(kuò)散和()。
A.面擴(kuò)散
B.均勻擴(kuò)散
C.梯度擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散
3.多項(xiàng)選擇題氧化硅在集成電路制造中有哪些應(yīng)用?()
A.屏蔽層
B.柵氧化層
C.犧牲層
D.襯墊層
4.單項(xiàng)選擇題?下列哪種工藝所制備的氧化層質(zhì)量最好?()
A.水汽氧化
B.干氧氧化
C.濕氧氧化
D.化學(xué)氣相淀積
5.單項(xiàng)選擇題
直拉法制備硅單晶的工藝步驟順序是()。
A.引晶(下種)
B.放肩
C.收尾
D.收頸
E.等徑生長(zhǎng)
A.ADBEC
B.ABCDE
C.ACBDE
D.ABDEC
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收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
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