問答題集成電路技術(shù)發(fā)展的方向有哪些？盡可能描述。
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影響封裝芯片特性的溫度有（）。
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硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
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光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
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光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
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目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
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多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
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厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
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題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題