強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導致的。

簡述真空蒸鍍的原理。

界面張力的大小反映界面熱力學的穩(wěn)定性。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

吸附平衡關(guān)系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

簡述雜質(zhì)對擴散的影響。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。