單項選擇題互補CMOS 2輸入與非門和偽NMOS 2輸入與非門相比，正確的表述是（）。

A.互補CMOS邏輯門的下降速度更快，靜態(tài)功耗更高
B.互補CMOS邏輯的下降速度更快，靜態(tài)功耗更低
C.偽NMOS邏輯的下降速度更快，靜態(tài)功耗更高
D.偽NMOS邏輯的下降速度更快，靜態(tài)功耗更低


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1.多項選擇題增加去耦電容可以抑制Ldi/dt效應(yīng)，那么芯片內(nèi)部去耦電容正確的放置方式是（）。

A.在芯片當中的任一位置上放置一個電容
B.靠近大的驅(qū)動器的地方應(yīng)該放置去耦電容
C.電源線下方應(yīng)該放置去耦電容
D.盡量遠離要穩(wěn)定的電源電壓的電路

2.單項選擇題芯片中通常把電源線和地線布線成縱橫交錯的網(wǎng)格狀，以降低IR drop，其原理是（）。

A.可以減小各處電路的電源/地線上的寄生電阻
B.可以減小流過電源/地線上的電流
C.可以使得芯片各處的電源/地線上的寄生電阻相等
D.增大導(dǎo)線的對地電容，濾除電壓的波動

3.多項選擇題下列情形中會使得存在電容串擾時受害信號線受到更大干擾的是（）。

A.耦合電容更大
B.干擾信號擺幅大
C.受害信號線是低阻抗節(jié)點（被低的驅(qū)動電阻驅(qū)動）
D.干擾信號翻轉(zhuǎn)速度快