A.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是版圖圖形編輯的依據(jù)
B.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是設(shè)計(jì)系統(tǒng)生成版圖的依據(jù)
C.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是分析計(jì)算的依據(jù)
D.幾何設(shè)計(jì)規(guī)則是檢查版圖錯(cuò)誤的依據(jù)
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A.粘附性
B.刻蝕溫度
C.刻蝕時(shí)間
D.刻蝕槽的高度
A.特征尺寸越來(lái)越小
B.晶圓尺寸越來(lái)越小
C.電源電壓越來(lái)越低
D.時(shí)鐘頻率越來(lái)越高
A.特征尺寸
B.器件數(shù)量
C.互連線長(zhǎng)度
D.互連線層數(shù)
A.超凈
B.高精度
C.低精度
D.超純
A.電阻
B.受控電流源
C.短路
D.開(kāi)路
最新試題
鍵合工藝失效,焊盤(pán)產(chǎn)生彈坑的原因有()。
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大,所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
以下不屬于打碼目的的是()。
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋,原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞,也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
凸點(diǎn)的制作技術(shù)有()。
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。