Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強(qiáng)控制部件等部分組成。

吸附平衡關(guān)系由吸附過(guò)程的方向和極限決定的，是吸附過(guò)程的基本依據(jù)。

MoSi2宜在低于1000℃下長(zhǎng)時(shí)間使用。

CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進(jìn)行的，不僅用來(lái)增密炭基材料，還可增強(qiáng)材料斷裂強(qiáng)度和抗震性能。

簡(jiǎn)述熱電偶真空規(guī)測(cè)量原理。

簡(jiǎn)述雜質(zhì)對(duì)擴(kuò)散的影響。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動(dòng)。

光學(xué)高溫計(jì)只要選取一定的波長(zhǎng)，通常選λ=0.78μm。