集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.02.21)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題為何熱氧化時(shí)要控制鈉離子含量？降低鈉離子污染的措施有哪些？

參考答案：因?yàn)檠趸瘜又腥绾懈邼舛鹊拟c，則線性和拋物型氧化速率常數(shù)明顯變大。措施有：加強(qiáng)工藝衛(wèi)生方可以避免Na+沾污；也可采用摻氯...

2.問答題集成電路特別是邏輯集成電路技術(shù)的類型有哪些？

參考答案：以雙極性硅為基礎(chǔ)的ECL技術(shù)、PMOS技術(shù)、NMOS技術(shù)，雙極性硅或硅鍺異質(zhì)結(jié)晶體管加CMOS的BiCMOS技術(shù)和GaA...

3.問答題建立器件模型的目的是什么？

進(jìn)行電路模擬

4.問答題集成電路的加工過程的基本操作是什么？

形成某種材料的薄膜；在各種材料的薄膜上形成需要的圖形；通過摻雜改變材料的電阻率或雜質(zhì)類型。

5.問答題為什么說InP適合做發(fā)光器件和OEIC？

InP中電子與空穴的復(fù)合是直接進(jìn)行的

6.問答題采用MOSFET作為nMOS反相器的負(fù)載器件有哪些優(yōu)點(diǎn)？

參考答案：采用負(fù)載電阻會(huì)占用大量的芯片面積，而晶體管占用的硅片面積通常比負(fù)載電阻小，并且有源負(fù)載反相器電路比無源負(fù)載反相器有更好的...

7.問答題在放大狀態(tài)下，三極管內(nèi)部載流子傳輸過程是怎樣進(jìn)行的？

發(fā)射結(jié)的注入、基區(qū)中的輸運(yùn)與復(fù)合和集電區(qū)的收集

8.問答題光刻的曝光方式有幾種？各有何特點(diǎn)？

參考答案：接觸和非接觸兩種，非接觸分為接近式和投影式
接觸式：精確度高，但掩膜易磨損，消耗大非接觸式
接近式：...

9.問答題一個(gè)完整的全定制設(shè)計(jì)環(huán)境包含哪些部分？

設(shè)計(jì)資料庫、電路編輯環(huán)境、電路仿真工具、版圖設(shè)計(jì)工具、版圖驗(yàn)證工具

10.問答題常用的集成電容有哪些？

多晶硅-擴(kuò)散區(qū)電容、多晶硅-多晶硅電容、MOS電容、夾心電容