集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2019.05.12)
來源:考試資料網(wǎng)2.問答題淀積的主要作用是什么?
參考答案:
生成器件制造所需的材料
3.問答題鋁柵MOS工藝的缺點是什么?
參考答案:
制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟,不容易對齊
參考答案:
改進(jìn)有源層的導(dǎo)電能力
5.問答題什么是材料系統(tǒng)?
參考答案:
由一些基本材料,如在Si,GaAs或InP制成的襯底上或襯底內(nèi),用其它物質(zhì)再生成一層或幾層材料。
參考答案:
HBT具有很強(qiáng)的電流驅(qū)動能力;適用于模擬信號的功率放大和門陣列邏輯的輸出緩沖電路設(shè)計。
參考答案:
數(shù)字模塊常常會在電源線和地線上產(chǎn)生脈沖干擾,模塊放大器對此干擾較為敏感,導(dǎo)致兩者之間產(chǎn)生耦合。
8.問答題為什么正膠在顯影時很容易被去掉?
參考答案:
因為正膠在曝光時被光照的光刻膠發(fā)生分解反應(yīng)。
9.問答題晶向指數(shù)表示什么?
參考答案:
所有相互平行,方向一致的晶向晶面,指數(shù)代表所有相互平行的一組晶面
10.問答題芯片的可靠性問題一般指哪些?
參考答案:
天線效應(yīng)、Latch-Up效應(yīng)和靜電放電ESD保護(hù)