集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2020.06.09)
來源：考試資料網(wǎng)參考答案：
增強型和耗盡型
3.問答題濕法刻蝕和干法刻蝕的區(qū)別？
參考答案：濕法刻蝕設(shè)備簡單、工藝操作方便，一般的常規(guī)生產(chǎn)均能滿足要求，但各向同性刻蝕性太強，難以控制線寬，而且刻蝕劑大多為腐蝕性較...
參考答案：
對MESFET的控制主要作用于柵極下面的區(qū)域
參考答案：
發(fā)射結(jié)的注入、基區(qū)中的輸運與復(fù)合和集電區(qū)的收集
6.問答題MOS管尺寸縮小對器件性能有哪些影響？
參考答案：
是P和N半導(dǎo)體相互浸入形成的。
如果外部不加控制電壓就有導(dǎo)電溝道的是耗盡型
如果需要外部加控制電壓才有導(dǎo)電溝道的是增強型。
8.填空題邏輯綜合在推斷RTL部品時，將值的變化通過時鐘觸發(fā)的信號推斷為（），將與時鐘無關(guān)但某個條件下保持值不變的信號推斷為（），將某個條件下生成‘Z’的信號推斷為（），將其它的推斷為（）。
參考答案：D-FF；Latch；三狀態(tài)門；組合電路
9.問答題簡述硅單晶研磨清洗的重要性。
參考答案：硅片清洗的重要性：硅片表面層原子因垂直切片方向的化學(xué)鍵被破壞成為懸掛鍵，形成表面附近的自由力場，極易吸附各種雜質(zhì)，如顆粒...
10.問答題離子注入后為何退火？
