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[多項選擇題]下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子?()
[多項選擇題]消除鳥嘴效應的方法有()。
[單項選擇題]摻雜后退火時間一般在()。
[單項選擇題]當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
[單項選擇題]光刻工藝的設備核心是()。
[單項選擇題]刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現圖形的轉移?()
[單項選擇題]硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項?()
[多項選擇題]芯片粘接的工藝過程包括()。
[多項選擇題]CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
[單項選擇題]注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關?()
[單項選擇題]硅暴露在空氣中,在室溫下即可產生二氧化硅層,厚度約為()。
[單項選擇題]如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物?()
[單項選擇題]封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
[多項選擇題]光刻工藝對準誤差包括()。
[多項選擇題]金屬化中可選用的金屬材料有()。
[多項選擇題]新的平坦化方法有哪幾個?()
[多項選擇題]刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
[多項選擇題]影響封裝芯片特性的溫度有()。
[判斷題]三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
[單項選擇題]進行溝槽填充常用的金屬材料是()。
[單項選擇題]目前制備SOI材料的主流技術有幾種?()
[多項選擇題]互連工藝中AL的制備可選用()。
[單項選擇題]化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個?()
[多項選擇題]常壓的硅外延方法有()。
[多項選擇題]CMP的設備構成包括()。
[判斷題]碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
[多項選擇題]光刻工藝的特點包括()。
[單項選擇題]濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
[單項選擇題]下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標?()
[多項選擇題]IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是()。
[多項選擇題]鳥嘴效應造成的不良影響有()。
[多項選擇題]摻雜后,退火的目的是()。
[單項選擇題]下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查,是否有出現廢品?()
[多項選擇題]多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
[單項選擇題]進行光刻工藝前的清洗步驟是()。
[單項選擇題]厚膜電阻的成分,一是導體顆粒,二是()。