在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質，且有很高的純度。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質通過渦流流體的傳遞過程。

低壓下從石墨轉變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應的推動來實現(xiàn)。

CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的，是吸附過程的基本依據(jù)。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設備稱為真空獲得設備或真空泵。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結構和性能的新材料。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

活性炭對物質的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

簡述真空蒸鍍的原理。