簡述真空蒸鍍的原理。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關(guān)，元件的溫度又與氣體的熱傳導(dǎo)有關(guān)，熱傳導(dǎo)量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

低壓下從石墨轉(zhuǎn)變成金剛石是一個典型的反自發(fā)方向進行的反應(yīng)，它依靠自發(fā)的氫原子耦合反應(yīng)的推動來實現(xiàn)。

簡述特殊活性原料的獲得方法及效果。

簡述雜質(zhì)對擴散的影響。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。