集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2019.04.25)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)參考答案：兩管與非門(mén)：輸出高電平低，瞬時(shí)特性差。
四管與非門(mén)：輸出采用圖騰柱結(jié)構(gòu)Q3--D，由于D是多子器件，他會(huì)使Tp...
四管與非門(mén)：輸出采用圖騰柱結(jié)構(gòu)Q3--D，由于D是多子器件，他會(huì)使Tp...
2.問(wèn)答題離子注入法有哪些優(yōu)點(diǎn)？
參考答案：摻雜的過(guò)程可通過(guò)調(diào)整雜質(zhì)劑量及能量來(lái)精確控制雜質(zhì)分布，可進(jìn)行小劑量和極小深度的摻雜較低的工藝溫度，故光刻膠可用作掩膜可供...
3.問(wèn)答題液態(tài)生長(zhǎng)有什么優(yōu)缺點(diǎn)？
參考答案：
最簡(jiǎn)單最廉價(jià)但其外延層的質(zhì)量不高
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述硅單晶研磨清洗的重要性。
參考答案：硅片清洗的重要性：硅片表面層原子因垂直切片方向的化學(xué)鍵被破壞成為懸掛鍵，形成表面附近的自由力場(chǎng)，極易吸附各種雜質(zhì)，如顆粒...
5.問(wèn)答題MOS管的哪些參數(shù)隨溫度變化？如何變化？
參考答案：
溝道中載流子的遷移率µ和閾值電壓VT隨溫度，所以T升高gm降低。
閾值電壓的絕對(duì)值同樣是隨著溫度的升高而減小。
6.問(wèn)答題集成電路中的無(wú)源器件有哪些？
參考答案：
互聯(lián)線(xiàn)、電阻、電容、電感、傳輸線(xiàn)等
7.問(wèn)答題離子注入后退火的作用是什么？
參考答案：
作用是激活注入的離子，恢復(fù)遷移率及其他材料參數(shù)。
8.問(wèn)答題什么是負(fù)光刻膠？
參考答案：
負(fù)光刻膠：膠的曝光區(qū)在顯影中保留，未曝光區(qū)在顯影中除去，負(fù)膠多由長(zhǎng)鏈高分子有機(jī)物組成
9.問(wèn)答題集成電路中，有源器件是指哪些種類(lèi)的晶體管？
參考答案：
BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET、和HEMT
10.問(wèn)答題什么是贗晶或贗配HEMT？
參考答案：
因?yàn)镮n原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs與GaAs或AlGaAs層之間存在著晶格不匹配的現(xiàn)象
