集成電路技術(shù)綜合練習章節(jié)練習(2019.04.25)
來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：兩管與非門：輸出高電平低，瞬時特性差。
四管與非門：輸出采用圖騰柱結(jié)構(gòu)Q3--D，由于D是多子器件，他會使Tp... 參考答案：摻雜的過程可通過調(diào)整雜質(zhì)劑量及能量來精確控制雜質(zhì)分布，可進行小劑量和極小深度的摻雜較低的工藝溫度，故光刻膠可用作掩膜可供... 參考答案：
最簡單最廉價但其外延層的質(zhì)量不高
參考答案：硅片清洗的重要性：硅片表面層原子因垂直切片方向的化學鍵被破壞成為懸掛鍵，形成表面附近的自由力場，極易吸附各種雜質(zhì)，如顆粒... 參考答案：
溝道中載流子的遷移率µ和閾值電壓VT隨溫度，所以T升高gm降低。
閾值電壓的絕對值同樣是隨著溫度的升高而減小。
參考答案：
互聯(lián)線、電阻、電容、電感、傳輸線等
參考答案：
作用是激活注入的離子，恢復遷移率及其他材料參數(shù)。
參考答案：
負光刻膠：膠的曝光區(qū)在顯影中保留，未曝光區(qū)在顯影中除去，負膠多由長鏈高分子有機物組成
參考答案：
BJT、HBT、PMOS、NMOS、MESFET、和HEMT
參考答案：
因為In原子的晶格常量比Ga原子的大，因此GaInAs與GaAs或AlGaAs層之間存在著晶格不匹配的現(xiàn)象
