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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問(wèn)答題每日一練(2019.05.04)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)
1.問(wèn)答題
簡(jiǎn)述外延薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程,其最顯著的特征是什么?
參考答案:
生長(zhǎng)過(guò)程:①傳輸:反應(yīng)物從氣相經(jīng)邊界層轉(zhuǎn)移到Si表面;②吸附:反應(yīng)物吸附在Si表面;③化學(xué)反應(yīng):在Si表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),...
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2.問(wèn)答題
根據(jù)原理分類,干法刻蝕分成幾種?各有什么特點(diǎn)?
參考答案:
干法刻蝕是采用等離子體進(jìn)行刻蝕的技術(shù),根據(jù)原理分為濺射與離子銑(物理)、等離子刻蝕(化學(xué))、反應(yīng)離子刻蝕(物理+化學(xué))。...
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3.問(wèn)答題
什么是兩步擴(kuò)散工藝,其兩步擴(kuò)散的目的分別是什么?
參考答案:
實(shí)際的擴(kuò)散溫度一般為900-1200℃,在這個(gè)溫度范圍內(nèi),雜質(zhì)在硅中的固溶度隨溫度變化不大,采用恒定表面源...
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4.問(wèn)答題
在干法刻蝕的終點(diǎn)檢測(cè)方法中,光學(xué)放射頻譜分析法最常見,簡(jiǎn)述其工作原理和優(yōu)缺點(diǎn)。
參考答案:
光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測(cè)等離子體中某種波長(zhǎng)的光線強(qiáng)度變化來(lái)達(dá)到終點(diǎn)檢測(cè)的目的。光強(qiáng)的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...
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5.問(wèn)答題
根據(jù)曝光方式的不同,光學(xué)光刻機(jī)可以分成幾類?各有什么優(yōu)缺點(diǎn)?
參考答案:
根據(jù)曝光方式不同光學(xué)光刻機(jī)主要分為三種:接觸式,接近式,投影式。接觸式:接觸式光刻機(jī)是最簡(jiǎn)單的光刻機(jī),曝光時(shí),掩模壓在涂...
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