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每日一練
章節(jié)練習
半導體芯片制造工半導體制造技術問答題每日一練(2019.07.28)
來源:考試資料網
1.問答題
說明SiO
2
的結構和性質,并簡述結晶型SiO
2
和無定形SiO
2
的區(qū)別。
參考答案:
結晶形SiO
2
——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構成每個頂角的O原子與兩個...
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2.問答題
什么是離子注入中常發(fā)生的溝道效應(Channeling)和臨界角?怎樣避免溝道效應?
參考答案:
溝道效應:對晶體靶進行離子注入,當離子速度方向平行于主晶軸時,將很少受到核碰撞,離子將沿溝道運動,注入深度很深。由于溝道...
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3.問答題
對RTP來說,很難在高溫下處理大直徑晶圓片而不在晶圓片邊緣造成熱塑應力引起的滑移。分析滑移產生的原因。如果溫度上升速度加快后,滑移現(xiàn)象變得更為嚴重,這說明晶圓片表面上的輻射分布是怎樣的?
參考答案:
硅片熱不均勻的因素三個因素造成硅片的熱不均勻問題(硅片邊緣溫度比中心低):
圓片邊緣接收的熱輻...
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4.問答題
影響外延薄膜的生長速度的因素有哪些?
參考答案:
1)溫度高溫區(qū)B區(qū),生長速率對溫度的變化不敏感,生長速率由氣相質量輸運控制,并且對反應室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...
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5.問答題
簡述RTP設備的工作原理,相對于傳統(tǒng)高溫爐管它有什么優(yōu)勢?
參考答案:
RTP工藝是一類單片熱處理工藝,其目的是通過縮短熱處理時間和溫度或只縮短熱處理時間來獲得最小的工藝熱預算(Thermal...
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