A.全擺幅
B.無比邏輯
C.無靜態(tài)功耗(忽略器件漏電流)
D.低阻抗輸出
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A.靜態(tài)互補(bǔ)CMOS邏輯
B.動態(tài)邏輯
C.傳輸管邏輯
D.偽NMOS邏輯
A.靜態(tài)互補(bǔ)CMOS
B.偽NMOS
C.CPL
D.差分多米諾邏輯
A.一級多米諾邏輯由一個動態(tài)邏輯門和一個靜態(tài)反相邏輯門串聯(lián)而成
B.彼此串聯(lián)的一組多米諾邏輯的預(yù)充和求值是并行進(jìn)行的,因此速度很快
C.多米諾邏輯工作的最高時鐘頻率主要由各級門的求值時間之和決定
D.為了提高性能,多米諾邏輯中的輸出反相器往往采用high-skew反相器
A.VDD/2
B.閾值電壓VT
C.VDD
D.VDD-VT
A.互補(bǔ)CMOS邏輯門的下降速度更快,靜態(tài)功耗更高
B.互補(bǔ)CMOS邏輯的下降速度更快,靜態(tài)功耗更低
C.偽NMOS邏輯的下降速度更快,靜態(tài)功耗更高
D.偽NMOS邏輯的下降速度更快,靜態(tài)功耗更低
最新試題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn),說法錯誤的是()。
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
下列對焊接可靠性無影響的是()。
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形()。
按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類,說法錯誤的是()。
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有()。
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框(L/F),對設(shè)定的電性能無法調(diào)整,而BGA可以通過芯片片基結(jié)構(gòu)的變更,得到所需的電性能。
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來到大眾視線
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì),說法錯誤的是()。