單項(xiàng)選擇題如果要實(shí)現(xiàn)一個(gè)8輸入的或非門(mén)，采用下列哪種邏輯類(lèi)型更合理？（）

A.靜態(tài)互補(bǔ)CMOS
B.偽NMOS
C.CPL
D.差分多米諾邏輯


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1.多項(xiàng)選擇題下列關(guān)于多米諾邏輯的表述正確的有（）。

A.一級(jí)多米諾邏輯由一個(gè)動(dòng)態(tài)邏輯門(mén)和一個(gè)靜態(tài)反相邏輯門(mén)串聯(lián)而成
B.彼此串聯(lián)的一組多米諾邏輯的預(yù)充和求值是并行進(jìn)行的，因此速度很快
C.多米諾邏輯工作的最高時(shí)鐘頻率主要由各級(jí)門(mén)的求值時(shí)間之和決定
D.為了提高性能，多米諾邏輯中的輸出反相器往往采用high-skew反相器

2.單項(xiàng)選擇題傳輸管邏輯的噪聲容限等于（）。

A.VDD/2
B.閾值電壓VT
C.VDD
D.VDD-VT

3.單項(xiàng)選擇題互補(bǔ)CMOS 2輸入與非門(mén)和偽NMOS 2輸入與非門(mén)相比，正確的表述是（）。

A.互補(bǔ)CMOS邏輯門(mén)的下降速度更快，靜態(tài)功耗更高
B.互補(bǔ)CMOS邏輯的下降速度更快，靜態(tài)功耗更低
C.偽NMOS邏輯的下降速度更快，靜態(tài)功耗更高
D.偽NMOS邏輯的下降速度更快，靜態(tài)功耗更低

4.多項(xiàng)選擇題增加去耦電容可以抑制Ldi/dt效應(yīng)，那么芯片內(nèi)部去耦電容正確的放置方式是（）。

A.在芯片當(dāng)中的任一位置上放置一個(gè)電容
B.靠近大的驅(qū)動(dòng)器的地方應(yīng)該放置去耦電容
C.電源線(xiàn)下方應(yīng)該放置去耦電容
D.盡量遠(yuǎn)離要穩(wěn)定的電源電壓的電路

5.單項(xiàng)選擇題芯片中通常把電源線(xiàn)和地線(xiàn)布線(xiàn)成縱橫交錯(cuò)的網(wǎng)格狀，以降低IR drop，其原理是（）。

A.可以減小各處電路的電源/地線(xiàn)上的寄生電阻
B.可以減小流過(guò)電源/地線(xiàn)上的電流
C.可以使得芯片各處的電源/地線(xiàn)上的寄生電阻相等
D.增大導(dǎo)線(xiàn)的對(duì)地電容，濾除電壓的波動(dòng)