表面區(qū)原子（或離子）間的距離偏離體內的晶格常數，而晶胞結構變化，這種情況稱為馳豫。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考?、沉積反應室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

簡述雜質對擴散的影響。

CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數目不斷減少的設備稱為真空獲得設備或真空泵。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產生的密度差所導致的。

高壓高溫合成法目的是尋求經卸壓降溫后的高壓高溫合成產物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結構和性能的新材料。