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集成電路工藝原理填空題每日一練(2019.11.24)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)
1.填空題
常規(guī)的硅材料拋光方式有:()拋光,()拋光,()拋光等。
參考答案:
機(jī)械;化學(xué);機(jī)械化學(xué)
2.填空題
硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟()、()和()。
參考答案:
預(yù)淀積;推進(jìn);激活
3.填空題
集成電路的發(fā)展時(shí)代分為()、中規(guī)模集成電路MSI、()、超大規(guī)模集成電路VLSI、()。
參考答案:
小規(guī)模集成電路SSI;大規(guī)模集成電路LSI;甚大規(guī)模集成電路ULSI
4.填空題
制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片,稱為硅片或()。在硅片制造廠,由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()或()。
參考答案:
硅襯底;微芯片;芯片
5.填空題
光刻中影響甩膠后光刻膠膜厚的因素有()、()、()、()。
參考答案:
溶解度;溫度;甩膠時(shí)間;轉(zhuǎn)速