集成電路工藝原理章節(jié)練習(2020.06.02)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題片式瓷介電容器主要有哪幾種類型？各有什么主要特點？

參考答案：片式瓷介電容器：單層的電極燒結(jié)構(gòu)成陶瓷芯片，再外加電極，形成電容器。
多層片式瓷介電容器：由印好電極（內(nèi)電極）...

2.問答題簡述正膠和負膠區(qū)別。

正膠：曝光的部分易溶解，占主導地位；
負膠：曝光的部分不易溶解。負膠的粘附性和抗刻蝕性能好，但分辨率低。

3.名詞解釋LOCOS

局部氧化工藝。

4.判斷題干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法，濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下刻蝕器件，例如大于3微米。

5.判斷題濺射是個化學過程，而非物理過程。

6.問答題比較整版掩模和單片掩模的區(qū)別，并列舉三種掩模的制造方法。

7.判斷題大馬士革工藝的重點在于介質(zhì)的刻蝕而不是金屬的刻蝕。

8.判斷題CVD系統(tǒng)包括熱壁式CVD系統(tǒng)和冷壁式CVD系統(tǒng)，在冷壁式CVD系統(tǒng)中側(cè)壁溫度與沉底溫度相等。

9.判斷題擴散運動是各向同性的。

10.問答題簡述輕摻雜漏（LDD）工藝目的。

參考答案：減小源漏間的穿通和溝道漏電，提高源漏擊穿電壓。