集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2020.04.29)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題SiO₂-Si界面的雜質(zhì)分凝：（）過程中，（）在兩種材料中重新分布，（）吸引受主雜質(zhì)（B）、排斥施主雜質(zhì)（P、As）。

參考答案：高溫；雜質(zhì)；氧化硅

2.問答題簡述模塑料？

參考答案：模塑料與常見的熱塑性塑料相比，模塑料具有更高的幾何尺寸穩(wěn)定性、更耐極端高熱高濕復(fù)雜環(huán)境、耐化學(xué)品腐蝕、高機(jī)械強(qiáng)度等特點。...

3.問答題試畫出MOS器件跨導(dǎo)與源漏電壓的函數(shù)曲線。

4.判斷題平滑是一種平坦化類型，它只能使臺階角度圓滑和側(cè)壁傾斜，但高度沒有顯著變化。

5.問答題什么是離子注入時的溝道效應(yīng)？列舉出三種控制溝道效應(yīng)的方法？

參考答案：溝道效應(yīng)：單晶硅原子為長程有序排列，當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時，就發(fā)生了溝道效應(yīng)，使預(yù)期的設(shè)計范...

6.判斷題曝光后烘焙，簡稱后烘，其對傳統(tǒng)I線光刻膠是必需的。

7.判斷題大馬士革工藝的名字來源于幾千年前敘利亞大馬士革的一位藝術(shù)家發(fā)明的一種技術(shù)。

8.判斷題蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源，其中間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中，對坩堝進(jìn)行間接加熱。

9.判斷題離子注入工藝中被摻雜的材料稱為靶，靶材料可以是晶體，也可以是非晶體，非晶靶也稱為無定形靶。

10.判斷題CVD系統(tǒng)包括熱壁式CVD系統(tǒng)和冷壁式CVD系統(tǒng)，在冷壁式CVD系統(tǒng)中側(cè)壁溫度與沉底溫度相等。