集成電路工藝原理判斷題每日一練(2020.04.29)

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1.判斷題熱擴(kuò)散中的橫向擴(kuò)散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進(jìn)的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴(kuò)散，因?yàn)樗鼤?huì)導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度的減小，影響器件的集成度和性能。

2.判斷題電機(jī)電流終點(diǎn)檢測(cè)不適合用作層間介質(zhì)的化學(xué)機(jī)械平坦化。

3.判斷題刻蝕的高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。

4.判斷題在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟：預(yù)淀積、推進(jìn)和激活。

5.判斷題純凈的半導(dǎo)體是一種有用的半導(dǎo)體。