集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.12.16)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題簡述BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)？

參考答案：安裝前需檢查BGA焊球的共面性以及有無脫落，BGA在PWB上的安裝與目前的SMT工藝設(shè)備和工藝基本兼容。
先將...

2.問答題 在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出V_x從一個(gè)大的正值下降時(shí)I_x的草圖。

3.填空題制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片，稱為硅片或（）。在硅片制造廠，由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）或（）。

參考答案：硅襯底；微芯片；芯片

4.問答題簡述什么是硅化物及其作用。

參考答案：硅化物是在高溫下難熔金屬（通常是鈦Ti、鈷Co）與硅反應(yīng)形成的金屬化合物（如TiSi₂、CoSi<...

5.判斷題在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟：預(yù)淀積、推進(jìn)和激活。

6.名詞解釋SOS

藍(lán)寶石上硅或者尖晶石的襯底上進(jìn)行硅的異質(zhì)外延。

7.問答題雙極、CMO和BiCMOS集成電路器件各有何特點(diǎn)？

參考答案：雙極器件具有速度高、驅(qū)動能力強(qiáng)和低噪聲等特性，但功耗大而且集成度低。CMOS器件具有低功耗、集成度高和抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)...

8.問答題為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？

參考答案：不用SF₆等F基氣體是因?yàn)镃l基氣體刻蝕多晶硅對下層的柵氧化層有較高的選擇比。

9.填空題常規(guī)的硅材料拋光方式有：（）拋光，（）拋光，（）拋光等。

參考答案：機(jī)械；化學(xué)；機(jī)械化學(xué)

10.判斷題半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于無定形二氧化硅。