單項(xiàng)選擇題?以下不屬于真空蒸發(fā)過(guò)程的是()。
A.氣相輸運(yùn)
B.薄膜淀積
C.薄膜定向
D.加熱蒸發(fā)
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1.單項(xiàng)選擇題以下磷(P)源屬于氣態(tài)源的是()。
A.POCl3
B.P2O5
C.PH3
D.PCl3
2.單項(xiàng)選擇題?以下哪一項(xiàng)不屬于擴(kuò)散的局限性?()
A.工藝簡(jiǎn)單
B.高溫、深結(jié)
C.不能獨(dú)立控制結(jié)深和濃度
D.橫向擴(kuò)散
3.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的雜質(zhì)分布包括()和有限表面源分布。
A.無(wú)限表面源分布
B.雜質(zhì)總量分布
C.恒定表面源分布
D.表面源分布
4.單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散系數(shù)的定義,其受以下哪個(gè)因素的影響最大?()
A.雜質(zhì)類(lèi)型
B.擴(kuò)散時(shí)間
C.雜質(zhì)激活能
D.溫度
5.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的微觀機(jī)制包括間隙式擴(kuò)散和()。
A.面擴(kuò)散
B.均勻擴(kuò)散
C.梯度擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散
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去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
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引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
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下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn),說(shuō)法正確的是()。
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按照芯片組裝方式的不同,關(guān)于SiP的分類(lèi),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
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