單項(xiàng)選擇題以下磷(P)源屬于氣態(tài)源的是()。
A.POCl3
B.P2O5
C.PH3
D.PCl3
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1.單項(xiàng)選擇題?以下哪一項(xiàng)不屬于擴(kuò)散的局限性?()
A.工藝簡單
B.高溫、深結(jié)
C.不能獨(dú)立控制結(jié)深和濃度
D.橫向擴(kuò)散
2.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的雜質(zhì)分布包括()和有限表面源分布。
A.無限表面源分布
B.雜質(zhì)總量分布
C.恒定表面源分布
D.表面源分布
3.單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散系數(shù)的定義,其受以下哪個(gè)因素的影響最大?()
A.雜質(zhì)類型
B.擴(kuò)散時(shí)間
C.雜質(zhì)激活能
D.溫度
4.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的微觀機(jī)制包括間隙式擴(kuò)散和()。
A.面擴(kuò)散
B.均勻擴(kuò)散
C.梯度擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散
5.多項(xiàng)選擇題氧化硅在集成電路制造中有哪些應(yīng)用?()
A.屏蔽層
B.柵氧化層
C.犧牲層
D.襯墊層
最新試題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型:判斷題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高,且其封裝外形尺寸較小,寄生參數(shù)減小,故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型:判斷題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序,而倒裝芯片則合二為一。
題型:判斷題
鍵合工藝失效,焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
為了獲得好的性能,塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型:判斷題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型:判斷題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn),說法錯(cuò)誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
電子封裝是指對(duì)電路芯片進(jìn)行包裝,進(jìn)而保護(hù)電路芯片,以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型:判斷題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展,同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng),()再次來到大眾視線
題型:單項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效,,鍵合點(diǎn)尾絲不一致,可能產(chǎn)生的原因有()。
題型:多項(xiàng)選擇題