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每日一練
章節(jié)練習
集成電路工藝原理判斷題每日一練(2019.11.24)
來源:考試資料網(wǎng)
1.判斷題
集成電路制造工藝中隔離擴散的深度可以不超過外延層的厚度。
參考答案:
錯誤
2.判斷題
LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃,采用增強的等離子體,增加淀積能量,即低壓和低溫。
參考答案:
錯誤
3.判斷題
成品率是指在一片晶圓上所有芯片中好芯片所占的百分比。
參考答案:
正確
4.判斷題
有光刻膠覆蓋硅片的三個生產(chǎn)區(qū)域分別為光刻區(qū)、刻蝕區(qū)和擴散區(qū)。
參考答案:
正確
5.判斷題
在半導(dǎo)體生產(chǎn)中,濕法腐蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法。
參考答案:
錯誤