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半導(dǎo)體芯片制造工問(wèn)答題每日一練(2020.02.02)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.問(wèn)答題例舉離子注入設(shè)備的5個(gè)主要子系統(tǒng)。

參考答案：（1）離子源：待注入物質(zhì)必須以帶電粒子束或離子束的形式存在。注入離子在離子源中產(chǎn)生
（2）引出電極（吸極）和離子...

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2.問(wèn)答題集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？

參考答案：

①金屬-絕緣體-金屬（MIM）結(jié)構(gòu)；
②多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅結(jié)構(gòu)；
③金屬叉指結(jié)構(gòu)；
④PN結(jié)電容；
⑤MOS電容。

3.問(wèn)答題描述RF濺射系統(tǒng)。

參考答案：

4.問(wèn)答題解釋下列名詞：互連、接觸、通孔和填充塞。

參考答案：（1）互連：由導(dǎo)電材料，如鋁、多晶硅和銅制成的連線將電信號(hào)傳輸?shù)叫酒牟煌糠??；ミB也被用于芯片上器件和器件整個(gè)封裝之間...

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5.問(wèn)答題什么是離子注入的橫向效應(yīng)？同等能量注入時(shí)，As和B哪種橫向效應(yīng)更大？為什么？

參考答案：橫向效應(yīng)：注入的離子在垂直于入射方向平面內(nèi)的分布情況。橫向效應(yīng)與注入離子的種類和離子能量有關(guān)。B的橫向效應(yīng)更大，因?yàn)橘|(zhì)量...

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