定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？

解釋正性光刻和負性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？

例舉并描述光刻中使用的兩種曝光光源。

離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？

例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。

什么是硅化物？難熔金屬硅化物在硅片制造業(yè)中重要的原因是什么？

敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。

解釋離子束擴展和空間電荷中和。

描述曝光波長和圖像分辨率之間的關系。

例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。