集成電路工藝原理章節(jié)練習(2018.12.06)

連接兩個Si-O四面體的氧稱為橋鍵氧，是多數。

在單晶襯底上按襯底晶向生長一層新的單晶薄膜的工藝技術。

通過使用特定的溶液與需要被腐蝕的薄膜材料進行化學反應，進而除去沒有被光刻膠覆蓋區(qū)域的薄膜。

離子從進入靶到停止為止走過的總距離。

雜質總量恒定；雜質分布為高斯函數分布（Gaussian）；表面濃度隨著時間下降，結深隨著時間增加。

化學機械拋光。