集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.05.03)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題制作電阻分壓器共需要三次光刻，分別是（）、（）和（）。

參考答案：電阻薄膜層光刻；高層絕緣層光刻；互連金屬層光刻

2.問答題簡述溝道效應(yīng)的含義及其對離子注入可能造成的影響如何避免？

參考答案：對晶體進(jìn)行離子注入時，當(dāng)離子注入的方向與與晶體的某個晶向平行時，一些離子將沿溝道運動，受到的核阻止作用很小，而且溝道中的...

3.填空題單晶硅生長常用（）和（）兩種生長方式，生長后的單晶硅被稱為（）。

參考答案：CZ法；區(qū)熔法；硅錠

4.判斷題阻擋層金屬是淀積金屬或金屬塞，其作用是增加上下層材料的附著。

5.判斷題對正性光刻來說，剩余不可溶解的光刻膠是掩膜版圖案的準(zhǔn)確復(fù)制。

6.判斷題LPCVD反應(yīng)是受氣體質(zhì)量傳輸速度限制的。

7.判斷題與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比，對器件不會帶來等離子體損傷，并且設(shè)備簡單。

8.名詞解釋射程R

離子從進(jìn)入靶到停止為止走過的總距離。

9.判斷題傳統(tǒng)互連金屬線的材料是鋁，即將取代它的金屬材料是銅。

10.問答題簡述CSP的封裝技術(shù)？

參考答案：所謂CSP，即芯片尺寸封裝。CSP是在BGA基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，是接近LSI芯片尺寸的封裝產(chǎn)品。這種產(chǎn)品具有以下幾個特點：...