集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.05.06)

來(lái)源:考試資料網(wǎng)
參考答案:距Si/SiO2界面2nm以?xún)?nèi)的Si的不完全氧化是帶正電的固定氧化物電荷區(qū);對(duì)于器件的正常工作,界面處的電荷堆積是不受歡...
參考答案:安裝前需檢查BGA焊球的共面性以及有無(wú)脫落,BGA在PWB上的安裝與目前的SMT工藝設(shè)備和工藝基本兼容。
先將...
4.名詞解釋玻璃回流
參考答案:

是升高溫度的情況下給摻雜氧化硅加熱,使它發(fā)生流動(dòng)。

參考答案:為了同時(shí)滿足對(duì)表面濃度、雜質(zhì)總量以及結(jié)深等的要求,實(shí)際生產(chǎn)中常采用兩步擴(kuò)散工藝:第一步稱(chēng)為預(yù)擴(kuò)散或預(yù)淀積,在較低的溫度下...
6.名詞解釋間隙式擴(kuò)散
參考答案:間隙式擴(kuò)散指間隙式雜質(zhì)從一個(gè)間隙位置運(yùn)動(dòng)到相鄰的間隙位置。
參考答案:意義:集成電路(IC.測(cè)試是伴隨著集成電路的發(fā)展而發(fā)展的,它對(duì)促進(jìn)集成電路的進(jìn)步和應(yīng)用作出了巨大地貢獻(xiàn)。
任務(wù)...
參考答案:高能離子注入硅片后與靶原子發(fā)生一系列碰撞,可能使靶原子發(fā)生位移,被位移原子還可能把能量依次傳給其它原子,結(jié)果產(chǎn)生一系列的...