集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.05.01)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題在集成電路制造工藝中，輕摻雜漏（LDD）注入工藝是如何減少結(jié)和溝道區(qū)間的電場(chǎng)，從而防止熱載流子的產(chǎn)生？

參考答案：如果沒有LDD形成，在晶體管正常工作時(shí)會(huì)在結(jié)和溝道區(qū)之間形成高電場(chǎng)，電子在從源區(qū)向漏區(qū)移動(dòng)的過程中，將受此電場(chǎng)加速成高能...

2.問答題現(xiàn)在國(guó)際上批量生產(chǎn)IC所用的最小線寬大致是多少，是何家企業(yè)生產(chǎn)？請(qǐng)舉出三個(gè)以上在這種工藝中所采用的新技術(shù)（與亞微米工藝相比）？

參考答案：國(guó)際上批量生產(chǎn)IC所用的最小線寬是Intel公司的32nm。在這種工藝中所采用的新技術(shù)有：銅互聯(lián)；Low-K材料；金屬柵...

3.填空題目前常用的CVD系統(tǒng)有（）、（）和（）。

參考答案：APCVD；LPCVD；PECVD

4.判斷題預(yù)淀積擴(kuò)散是為了提供足夠的雜質(zhì)總量，而再分布擴(kuò)散是為了達(dá)到需要的擴(kuò)散深度并同時(shí)在硅的表面獲得一定厚度的氧化層。

5.名詞解釋真空蒸發(fā)

利用蒸發(fā)材料在高溫時(shí)所具有的飽和蒸氣壓進(jìn)行薄膜制備。

6.判斷題高阻襯底材料上生長(zhǎng)低阻外延層的工藝稱為正向外延。

7.填空題設(shè)計(jì)與生產(chǎn)一種最簡(jiǎn)單的硅雙極型PN結(jié)隔離結(jié)構(gòu)的集成電路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。

參考答案：埋層光刻；隔離光刻；基區(qū)光刻；發(fā)射區(qū)光刻；引線區(qū)光刻；反刻鋁電極

8.判斷題純凈的半導(dǎo)體是一種有用的半導(dǎo)體。

9.名詞解釋RTA

快速熱退火。

10.判斷題光刻是集成電路制造工藝發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。