半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2017.12.28)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題什么是離子注入的橫向效應(yīng)？同等能量注入時(shí)，As和B哪種橫向效應(yīng)更大？為什么？

參考答案：橫向效應(yīng)：注入的離子在垂直于入射方向平面內(nèi)的分布情況。橫向效應(yīng)與注入離子的種類和離子能量有關(guān)。B的橫向效應(yīng)更大，因?yàn)橘|(zhì)量...

2.問答題在銅互連中，為什么要用銅擴(kuò)散阻擋層？阻擋層分成哪幾種，分別起什么作用？

參考答案：1）銅在SiO₂中極易擴(kuò)散，造成對(duì)硅器件的沾污：增加SiO₂的漏電流；增加結(jié)...

3.問答題在MEMS加工中，為了精確控制腐蝕深度，有哪幾種腐蝕停止技術(shù)，分別說一下其腐蝕停止原理。

參考答案：腐蝕停止目的：為了精確控制腐蝕深度.P++腐蝕停止技術(shù)（形成重?fù)诫sB層）：Si的濕法腐蝕速率在B摻雜濃度<1×10

4.問答題離子在靶內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？兩種阻滯本領(lǐng)與注入離子能量具有何關(guān)系？

參考答案：①碰撞注入離子與靶內(nèi)原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質(zhì)量一般為同一數(shù)量級(jí)，每次碰撞之后，注入離子都可能發(fā)生大角...

5.問答題以P₂O₅為例，多晶硅中雜質(zhì)擴(kuò)散的方式及分布情況。

參考答案：在多晶硅薄膜中進(jìn)行雜質(zhì)擴(kuò)散的擴(kuò)散方式與單晶硅中的方式是不同的，因?yàn)槎嗑Ч柚杏芯Яｉg界存在，所以雜質(zhì)原子主要沿著晶粒間界進(jìn)...

6.問答題雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式有哪幾種？它們各自發(fā)生的條件是什么？從原子擴(kuò)散的角度舉例說明氧化增強(qiáng)擴(kuò)散和氧化阻滯擴(kuò)散的機(jī)理。

參考答案：①交換式：兩相鄰原子由于有足夠高的能量，互相交換位置。②空位式：由于有晶格空位，相鄰原子能移動(dòng)過來。③填隙式：在空隙中的...

7.問答題什么是離子分布的偏斜度和峭度，和標(biāo)準(zhǔn)高斯分布有什么區(qū)別？

參考答案：非對(duì)稱性常用偏斜度γ（skewness）表示：γ為負(fù)值表明雜質(zhì)分布在表面一側(cè)的濃度增加，即x＜R...

8.問答題下圖為直流等離子放電的I-V曲線，請(qǐng)分別寫出a-g各段的名稱?？捎米靼雽?dǎo)體制造工藝中離子轟擊的是其中哪一段？試解釋其工作原理。

參考答案：ab段為無光放電區(qū)；bc段為湯生放電；c點(diǎn)為放電的著火點(diǎn)，cd段為前期輝光放電；de段為正常輝光放電區(qū)ef段為反常輝光放...

9.問答題CVD淀積過程中兩個(gè)主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會(huì)支配整個(gè)淀積速率？

參考答案：CVD過程包括兩個(gè)部分：一、反應(yīng)劑在邊界層中的輸運(yùn)二、反應(yīng)劑在襯底表面的化學(xué)反應(yīng)存在兩種極限情況：①hg>>ks，Cs趨...

10.問答題簡述外延薄膜的生長過程，其最顯著的特征是什么？

參考答案：生長過程：①傳輸：反應(yīng)物從氣相經(jīng)邊界層轉(zhuǎn)移到Si表面；②吸附：反應(yīng)物吸附在Si表面；③化學(xué)反應(yīng)：在Si表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，...