半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2018.01.20)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題說(shuō)明影響氧化速率的因素。
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述BOE（或BHF）刻蝕SiO2的原理。
參考答案：二氧化硅腐蝕最常見(jiàn)的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進(jìn)行的SiO2濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...
參考答案：①交換式：兩相鄰原子由于有足夠高的能量，互相交換位置。②空位式：由于有晶格空位，相鄰原子能移動(dòng)過(guò)來(lái)。③填隙式：在空隙中的...
4.問(wèn)答題MEMSSi加工工藝主要分為哪兩類，它們最基本的區(qū)別是什么？
參考答案：反應(yīng)室類型熱壁：反應(yīng)室腔壁與硅片及支撐件同時(shí)加熱。一般為電阻絲加熱，可精確控制反應(yīng)腔溫度和均勻性。適合對(duì)溫度控制要求苛刻...
參考答案：寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導(dǎo)電過(guò)程中會(huì)撞擊導(dǎo)體中的離子，將動(dòng)量轉(zhuǎn)移給離子從而推動(dòng)離子發(fā)生緩慢移動(dòng)。該現(xiàn)象稱為電...
參考答案：結(jié)晶形SiO2——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構(gòu)成每個(gè)頂角的O原子與兩個(gè)...
參考答案：擴(kuò)散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)，在外延生長(zhǎng)時(shí)互相擴(kuò)散，引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴(kuò)散效應(yīng)對(duì)界...
10.問(wèn)答題
以P2O2為例說(shuō)明SiO2的掩蔽過(guò)程。
