半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體芯片制造高級(jí)工章節(jié)練習(xí)(2019.04.30)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.填空題微波混合集成電路是指工作頻率從300MHz～100kMHz的混合集成電路，可分為分布參數(shù)微波混合集成電路和（）微波混合集成電路兩類。

參考答案：集總參數(shù)

2.填空題硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。砷化鎵片用（）系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。

3.填空題釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。

4.填空題在半導(dǎo)體制造工藝中往往把減薄、劃片、分片、裝片、內(nèi)引線鍵合和管殼封裝等一系列工藝稱為（）。

5 反應(yīng)離子腐蝕是（）。

6.填空題二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。

參考答案：氧化；氣相

7 恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。

8 pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)（）的重要標(biāo)志。

9.填空題外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜。

參考答案：不夠；質(zhì)量差

10 變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。