半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.07.13)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)參考答案:擴(kuò)散工藝分類(lèi):按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類(lèi),可分為固態(tài)源擴(kuò)散,液態(tài)源擴(kuò)散和氣態(tài)源擴(kuò)散。固態(tài)源擴(kuò)散(1).開(kāi)管擴(kuò)散...
5.問(wèn)答題單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些?
參考答案:
晶向偏離度總厚度誤差,平衡度,翹曲度等
6.問(wèn)答題簡(jiǎn)述幾種常用的氧化方法及其特點(diǎn)。
參考答案:制備SiO2的方法有很多,熱分解淀積、濺射、真空蒸發(fā)、陽(yáng)極氧化法、化學(xué)氣相淀積、熱氧化法等。熱生長(zhǎng)法制備的SiO2質(zhì)量好...
8.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求?
參考答案:1、能很好的阻擋材料擴(kuò)散;
2、高電導(dǎo)率,低歐姆接觸電阻;
3、在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力;...
2、高電導(dǎo)率,低歐姆接觸電阻;
3、在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力;...
10.問(wèn)答題簡(jiǎn)述BOE(或BHF)刻蝕SiO2的原理。
參考答案:二氧化硅腐蝕最常見(jiàn)的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進(jìn)行的SiO2濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...