半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.07.13)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1 將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來(lái)進(jìn)行曝光的方法，稱(chēng)為（）曝光。

2.問(wèn)答題單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等

3.填空題熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

參考答案：含有硅的化合物

4.問(wèn)答題 以P₂O₂為例說(shuō)明SiO₂的掩蔽過(guò)程。

參考答案：以P₂O₂雜質(zhì)源為例來(lái)說(shuō)明SiO₂的掩蔽過(guò)程：當(dāng)P

5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？

參考答案：外延要求：1.集電極擊穿電壓要求
2.集電極串聯(lián)電阻要小.
...

6 器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來(lái)實(shí)現(xiàn)。

7 禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。

8.填空題全定制、半定制版圖設(shè)計(jì)中用到的單元庫(kù)包含（）、（）、（）和（）。

參考答案：符號(hào)圖；抽象圖；線(xiàn)路圖；版圖

9.判斷題光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類(lèi)抗蝕劑稱(chēng)為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱(chēng)為負(fù)性膠。（）

10.問(wèn)答題熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

參考答案：離子注入后會(huì)對(duì)晶格造成簡(jiǎn)單晶格損傷和非晶層形成；損傷晶體空位密度大于非損傷晶體，且存在大量間隙原子和其他缺陷，使擴(kuò)散系數(shù)...