半導體芯片制造工半導體制造技術章節(jié)練習(2018.01.12)
來源：考試資料網
參考答案：1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長速率對溫度的變化不敏感，生長速率由氣相質量輸運控制，并且對反應室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。... 參考答案：1）氧化劑分壓因為平衡情況下，SiO2中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數B=2D 參考答案：不能！聚焦深度：在保持圖形聚焦的前提下，沿著光路方向晶圓片移動的距離是聚焦深度——
，... 參考答案：可動離子電荷Qm來源：主要來源于Na+等網絡改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過程... 參考答案：離子注入后會對晶格造成簡單晶格損傷和非晶層形成；損傷晶體空位密度大于非損傷晶體，且存在大量間隙原子和其他缺陷，使擴散系數... 參考答案：擴散效應是指襯底中的雜質與外延層中的雜質，在外延生長時互相擴散，引起襯底與外延層界面附近雜質濃度的緩慢變化。擴散效應對界... 參考答案：根據曝光方式不同光學光刻機主要分為三種：接觸式，接近式，投影式。接觸式：接觸式光刻機是最簡單的光刻機，曝光時，掩模壓在涂... 參考答案：在光柵掃描方法中，每一個像素必須被逐次掃描。這樣，曝光時間幾乎與圖形無關，圖形就是通過打開和關閉快門寫出來的。而已經開發(fā)... 參考答案：光學放射頻譜分析是利用檢測等離子體中某種波長的光線強度變化來達到終點檢測的目的。光強的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...
